华映科技申请IGZO-TFTLCD阵列基板制备方法及其结构专利，减少成本及简化工艺并提高面板透过率
金融界2024年7月2日消息，天眼查知识产权信息显示，华映科技（集团）股份有限公司申请一项名为“一种IGZO-TFTLCD阵列基板的制备方法及其结构“，公开号，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种一种IGZO‑TFTLCD阵列基板的制备方法及其结构，包括下述步骤：在玻璃基板上依次制备一栅极电极层、一第一绝缘层及一IGZO层；对部分IGZO层进行激光处理使其结晶导体化，让其作为像素电极层，未进行激光退火技术处理的IGZO层作为半导体层；对第一绝缘层进行开DC孔；源漏电极层与半导体层和像素电极层直接搭接，通过DC孔与栅极电极层搭接；对第二绝缘层和第一绝缘层进行开深孔使栅极电极层裸露，形成PV孔；在第二绝缘层上制备一公共电极层，且公共电极层通过PV孔与栅极电极层搭接。本发明在于减少Mask工艺数量，节约成本及简化工艺；降低绝缘层总厚度，提高面板透过率；避免绝缘层开深浅孔工艺，减少金属过蚀刻及腐蚀风险。
本文源自金融界
